固態硬盤TLC和MLC的區別
固態硬盤簡稱SSD，簡單來說，起就是由子存儲芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲單元組成。那么固態硬盤TLC和MLC的區別又有哪些呢，一起來看看吧!
SLC、MLC、TLC到底是什么?
NAND閃存的類型有SLC、MLC和TLC這三種，SLC不論性能還是可靠性都是都是最好的，但成本也是最高的;MLC閃存性能、可靠性次之，它的性能、可靠性與成本上是相當均衡的，是目前的絕對主力;TLC則是在2012年之后三星才把它帶入SSD市場的，之前主要是用在U盤以及存儲卡上面，在三星先行了兩年之后今年其他廠商終于跟上了，大量的TLC SSD開始推向市場。
SLC、MLC與TLC的簡單區別
SLC =Single-Level Cell，即1 bit per cell，只存在0和1兩個充電值，結構簡單但是執行效率高。SLC閃存的優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長。然而，由于每個存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節需花費較高的成本來生產，由于成本過高你基本上只會在高端的企業級SSD上見到它，流入到消費級平臺上的基本都是非原封的。
MLC =Multi-Level Cell，即2 bit per cell，有00,01,10,11四個充電值，因此需要比SLC更多的訪問時間，不過每個單元可以存放比SLC多一倍的數據。MLC閃存可降低生產成本，但與SLC相比其傳輸速度較慢，現在大多數消費級SSD都是使用MLC做的。
TLC =Trinary-Level Cell，即3 bit per cell，每個單元可以存放比MLC多1/2的數據，共八個充電值，所需訪問時間更長，因此傳輸速度更慢。TLC優勢價格便宜，每百萬字節生產成本是最低的，但是壽命短，通常用在U盤或者存儲卡這類移動存儲設備上。
TLC閃存的優劣勢
TLC閃存的優勢是容量更大，成本更低，舉例來說，同樣的晶體管電路做成64Gb的SLC閃存，那么變成MLC、TLC閃存則可以得到128Gb、192Gb的容量，這對廠商來說大大降低了成本。
從結果上來看，各種閃存的物理結構是相同的，但是控制上一個比一個復雜，SLC每個Cell能儲存1個數據，有兩種電位變化，MLC每個Cell能儲存2個數據，有四種電位變化，TLC每個Cell可以儲存3個數據，有8種電位變化，MLC和TLC每個Cell單元中有多個信號，是通過控制不同的電壓來實現的，施加不同的電壓就會有更多的電位變化，NAND閃存單元就可以容納不同的信號組合。
TLC閃存在P/E壽命、讀寫速度上要比MLC、SLC差很多，但是，TLC閃存也不是只有光鮮的一面，它帶來的考驗也更大。容納的電位多了可以提升容量，但也使得整個過程更復雜，需要更精確的電壓控制，Program過程所需時間更多，因此寫入性能也會大幅下降，所以現在的TLC SSD都啟用了SLC Cache模式提升寫入速度，否則那個寫入速度是很難讓人接受的;讀取，特別是隨機讀取性能也會受影響，因為需要花更多的時間從八種電信號狀態中區分所需數據。
最關鍵的是閃存壽命直線下降，MLC的P/E次數至少還有3000-5000次，而TLC公認的P/E指標是1000次，好點的可能做到1500次，依然比MLC差很多。
3D NAND閃存——TLC未來的出路
說了這么多傳統的2D TLC閃存問題確實非常的多，有些問題是可以解決的，比如寫入性能差就可以通過SLC Cache的運用，只要制造一個大容量的緩沖區用戶很多時候就不會感覺得到寫入速度慢，而且SLC Cache玩得好還有延長壽命的作用。
但是有些東西是解決不了的，傳統的2D閃存在達到一定密度之后每個電源存儲的電荷量會下降，另外相鄰的存儲單元也會產生電荷干擾，20nm工藝之后，Cell單元之間的干擾現象更加嚴重，如果數據長時間不刷新的話就會出現像之前三星840 Evo那樣的讀取舊文件會掉速的現象，三星后來推出了新固件改善算法才解決問題，估計新的固件會定時覆寫舊的數據，這樣肯定會對閃存的壽命有影響。而3D NAND是不再追求縮小Cell單元，而是通過3D堆疊技術封裝更多Cell單元，這樣也可以達到容量增多的目的。
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