DDR4和DDR3內(nèi)存區(qū)別
導語：內(nèi)存也是電腦的主要部件，今天我們來看看關于DDR4和DDR3內(nèi)存的區(qū)別，希望對大家有所幫助。
1、DDR4比DDR3內(nèi)存速度更快
DDR3內(nèi)存起始頻率為1066，最高頻率則為2133，而DDR4內(nèi)存起始頻率就達到了2133，最高頻率達到了4000以上。目前主流DDR3內(nèi)存為1600頻率，而主流DDR4內(nèi)存頻率為2133MHz。在相同容量的情況下，DDR4內(nèi)存帶寬更為出色。
2、DDR4比DDR3功耗更低
DDR3內(nèi)存的標準工作電壓為1.5V，而DDR4降至1.2V，移動設備設計的低功耗DDR4更降至1.1V，工作電壓更低，意味著功耗更低。
3、內(nèi)存插槽不同
DDR3和DDR4兩種內(nèi)存插槽有所不同，也就導致了并不是所有的主板都支持DDR4內(nèi)存，尤其是100系列以下主板都是不支持DDR4內(nèi)存的，而AMD無論是新平臺還是老平臺也都不支持DDR4內(nèi)存。
所以新裝機的用戶自然是選擇DDR4內(nèi)存，畢竟DDR4才能發(fā)揮出新一代平臺的性能優(yōu)勢。而預算不足選擇上一代平臺的用戶，選擇DDR3內(nèi)存也無可厚非。
拓展知識：ddr3和ddr4可以一起用嗎，能夠組建雙通道嗎？
很遺憾，因為DDR4內(nèi)存接口有所改動，所以導致新一代DDR4內(nèi)存不再兼容以前的老主板。目前情況下，能兼容DDR4的只有Intel六代CPU對應的100系列主板。至于AMD主板，只有今年推出全新AM4接口后才可加入DDR4內(nèi)存支持，目前市面上所有AMD平臺都不支持DDR4內(nèi)存。
因接口有所改變，DDR4內(nèi)存金手指觸點達到了284個，每一個觸點間距只有0.85mm(DDR3內(nèi)存金手指觸點是240個，間距1mm)。因為這一改變，DDR4的內(nèi)存金手指部分也設計成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。因此，DDR4是彎曲效果，而且DDR4防呆口位置和DDR3比較起來更靠中間一點。
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